SRAM#
特性：速度快，易失，非破坏性读取、成本高
原理：Static RAM 用双稳态触发器存储信息，信息被读取后仍然保持原状态。
用途：一般用作 CPU 缓存，目前缓存设计有 L1，L2，L3 级缓存。
DRAM#
特性：速度较快，易失、破化性读取、成本相对高
原理：Dynamic RAM 利用电路中栅极电容上的电荷存储信息。在电源持续供电时，信息也会消失，因此需要进行频繁的刷新。
用途：主要是主存储器。
ROM#
特性：结构相对简单，位密度相对高，不易失，可靠性高。
用途：可用于存储固件，最初只可读，在出厂之后就不可写了，渐渐发展出来了可读写的设备（一般读速度快于写速度），但仍然称为 ROM。包括 PROM，EPROM，EEPROM，Flash，SSD 等。
分类：
- 掩模式只读存储器：生产时直接写入，可靠性，集成度高，成本低
- 一次可编程只读存储器：PROM 通过编程器可以写入一次
- 可擦除可编程存储器：EPROM，可以多次写入，写入时间长，次数有限
- Flash 存储器：在 EPROM 和 EEPROM 基础上发展而来，可不加电时长期保存信息，也可快速擦除重写，成本相对低，集成度高，可擦除，重写速度快
- SSD：在 Flash 基础上发展，由控制单元和存储单元（Flash）构成，一般用作辅助存储，读写速度快（仍不平衡），低功耗，成本相对高（目前已较低）